Infineon Technologies IRF640NPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 150 W TO-220
Kód: C162424
Výrobce: Infineon Technologies
Dostupnost: k dodání 2 - 5 dnů
Cena: 55,- Kč s DPH
STPřidat do košíku
Popis
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
| Technické parametry | |
| Množství | 1 ks |
| Výrobce | Infineon Technologies |
| Kanálů | 1 |
| Typ pouzdra (polovodiče) | TO-220 |
| Typ tranzistoru | N-kanál |
| Série (polovodiče) | HEXFET® |
| Vlastnost tranzistoru | standardní |
| Zkratka výrobce (součástky) | INF |
| Typ (výrobce) | IRF640NPBF |
| Provedení | HEXFET |
| Způsob montáže | průchozí otvor |
| C(ISS) | 1160 pF |
| Referenční napětí C(ISS) | 25 V |
| I(d) | 18 A |
| Provozní teplota (max.) | +175 °C |
| Provozní teplota (min.) | -55 °C |
| Výkon Pmax | 150 W |
| Q(G) | 67 nC |
| Referenční napětí Q(G) | 10 V |
| R(DS)(on) | 150 mΩ |
| Referenční proud R(DS)(on) | 11 A |
| Referenční napětí R(DS)(on) | 10 V |
| U(GS)(th) max. referenční proud | 250 µA |
| U(DSS) | 200 V |
| U(GS)(th) max. | 4 V |
| Typ | IRF 640 N |
| Popis | 200 V/18 A |
| Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS) | 200 V |
| Kategorie produktu | tranzistor MOSFET |